ایران مقاله

 

مقاله طراحی و شبیه سازی مدار ضرب کننده مبتنی بر ترانزیستورهای اثر میدانی نانوتیوب کربنی تحت word دارای 6 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله طراحی و شبیه سازی مدار ضرب کننده مبتنی بر ترانزیستورهای اثر میدانی نانوتیوب کربنی تحت word کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.

این پروژه توسط مرکز مرکز پروژه های دانشجویی آماده و تنظیم شده است

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله طراحی و شبیه سازی مدار ضرب کننده مبتنی بر ترانزیستورهای اثر میدانی نانوتیوب کربنی تحت word ،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

---

بخشی از متن مقاله طراحی و شبیه سازی مدار ضرب کننده مبتنی بر ترانزیستورهای اثر میدانی نانوتیوب کربنی تحت word :

سال انتشار: 1392
محل انتشار: همایش ملی مهندسی برق و توسعه پایدار با محوریت دستاوردهای نوین در مهندسی برق
تعداد صفحات: 6
چکیده:
در این مقاله طراحی مدار ضرب کننده بر اساس ترانزیستورهای کربن نانوتیوب بررسی شده است. تحقیقاتی در زمینه پیاده سازی مدارهای پرتراکمآنالوگ و دیجیتال انجام شده که نشان می دهد بهبودی های خوبی در زمینه ی سرعت، توان مصرفی، تاخیر و دیگر پارامترها ایجاد شده است. در اینجا پیاده سازی مدار ضرب کننده مبتنی بر این ترانزیستورها بررسی شده است . در نهایت مدارضرب کننده CNTFET، بر اساس نرم افزار Hspice مورد بررسی و شبیه سازی قرار گرفته است .

 

کلمات کلیدی :