مقاله اثرات تنش خشکی و بازگشت بر وضعیت آبی و تنظیم اسمزی در رز م

 

برای دریافت پروژه اینجا کلیک کنید

مقاله اثرات تنش خشکی و بازگشت بر وضعیت آبی و تنظیم اسمزی در رز مینیاتوری رقم مشکین جان تحت word دارای 4 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله اثرات تنش خشکی و بازگشت بر وضعیت آبی و تنظیم اسمزی در رز مینیاتوری رقم مشکین جان تحت word کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.

این پروژه توسط مرکز مرکز پروژه های دانشجویی آماده و تنظیم شده است

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله اثرات تنش خشکی و بازگشت بر وضعیت آبی و تنظیم اسمزی در رز مینیاتوری رقم مشکین جان تحت word ،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد


بخشی از متن مقاله اثرات تنش خشکی و بازگشت بر وضعیت آبی و تنظیم اسمزی در رز مینیاتوری رقم مشکین جان تحت word :

سال انتشار: 1388

محل انتشار: ششمین کنگره علوم باغبانی ایران

تعداد صفحات: 4

نویسنده(ها):

مهدیه غلامی – دانشجوی دکتری بخش علوم باغبانی دانشگاه شیراز
مجید راحمی – استاد بخش علوم باغبانی دانشگاه شیراز

چکیده:

رز مینیاتوری یکی از گیاهان بسیار سازگار برای استفاده در فضای سبز شهری است. برای بررسی تحمل به خشکی رز مینیاتوری آزمایشی در فضای باز طراحی شد و طی آن گیاهان برای 21 روز آبیاری نشدند(تیمار خشکی) و سپس مجددا در معرض آبیاری قرار گرفتند. در تمام این مدت 20 گلدان دیگر هر روز تا حد FC آبیاری میشدند (تیمار شاهد). پس از 21 روز خشکی مقادیر پتانسیل آب ساقه, محتوای نسبی آب , وزن تورگر به وزن خشک و نشاسته در تیمار خشکی به طور معنی داری نسبت به شاهد کاهش یافت در حالی که مقادیر پرولین و پتاسیم به طور معنی داری افزایش یافت که می توانند در تنظیم اسمزی این گیاه در شرایط خشکی نقش مهمی داشته باشند. افزایش مقادیر پتانسیل آب ساقه و محتوای نسبی آب بعد از دوره بازگشت تا حد گیاهان شاهد توانایی بهبود این گیاه را نشان می دهد.

 

برای دریافت پروژه اینجا کلیک کنید

کلمات کلیدی :

مقاله ارتباط بین جهت گیری مذهبی درونی وسلامت روان با رضایت از زن

 

برای دریافت پروژه اینجا کلیک کنید

مقاله ارتباط بین جهت گیری مذهبی درونی وسلامت روان با رضایت از زندگی در دانش آموزان دخترمقطع متوسطه ناحیه دو زنجان تحت word دارای 14 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله ارتباط بین جهت گیری مذهبی درونی وسلامت روان با رضایت از زندگی در دانش آموزان دخترمقطع متوسطه ناحیه دو زنجان تحت word کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.

این پروژه توسط مرکز مرکز پروژه های دانشجویی آماده و تنظیم شده است

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله ارتباط بین جهت گیری مذهبی درونی وسلامت روان با رضایت از زندگی در دانش آموزان دخترمقطع متوسطه ناحیه دو زنجان تحت word ،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد


بخشی از متن مقاله ارتباط بین جهت گیری مذهبی درونی وسلامت روان با رضایت از زندگی در دانش آموزان دخترمقطع متوسطه ناحیه دو زنجان تحت word :

سال انتشار: 1394
محل انتشار: دومین کنفرانس ملی و اولین کنفرانس بین المللی پژوهشهای نوین در علوم انسانی
تعداد صفحات: 14
نویسنده(ها):
فریماه فرخی – دانشجوی کارشناسی ارشدگروه روانشناسی عمومی،واحدزنجان ، دانشگاه آزاداسلامی ،زنجان ،ایران
قمر کیانی – گروه روانشناسی عمومی، واحد زنجان ،دانشگاه آزاداسلامی ،زنجان ،ایران مولف اصلی

چکیده:
ارتباط بین جهت گیری مذهبی درونی و سلامت روان با رضایت اززندگی دردانش اموزان دختر مقطع متوسطه ناحیه دوزنجان سال 93 پژوهش حاضر باهدف تعیین رابطه بین جهت گیری مذهبی درونی سلامت روان و رضایت اززندگی دربین دانش اموزان دختر مقطع متوسطه ناحیه دو شهرزنجان صورت گرفته است بدین منظور تعداد 314 دانش اموز ازکلاسهای اول دوم و سوم متوسطه به روش نمونه گیری خوشه ای چندمرحله ای انتخاب شدند داده ها با استفاده ازپرسشنامه های جهت گیری مذهنبی الپورت 1950 و سلامت عمومی هیلر و گلدبرگ 1979 و رضایت اززندگی هیوبنر 2001 جمع اوری و باکمک نرم افزار Spss و امارهای توصیفی و همبستگی پیرسون و رگرسیون چندمتغیره موردتجزیه و تحلیل قرارگرفت یافته ها نشان میدهد که بین گرایش مذهبی درونی با همه مولفه های رضایت اززندگی رابطه مثبت معناداری دارد بیشترین میزان مربوط به رابطه جهت گیری مذهبی درونی و مدرسه است گرایش مذهبی درونی با رضایت ازمدرسه و رضایت ازمحیط زندگی رابطه منفی معنادار و با رضایت کلی اززندگی رابطه مثبت معنادار دارد علائم اضطرابی و اختلال خواب همبستگی منفی معناداری با همه مولفه های رضایت اززندگی دارند کارکرد اجتماعی فقط با رضایت ازخانواده همبستگی مثبت معنی داری دارد علائم افسردگی نیز با همه مولفه های رضایت اززندگی رابطه منفی معناداری دارد گرایش مذهبی بیرونی با علائم اضطرابی و اختلال خواب کارکرد اجتماعی و سلامت عمومی رابطه منفی معناداری وجود دارد ولی گرایش مذهبی درونی باهیج یک ازمولفه های سلامت روان رباطه معناداری ندارد رضایت ازخانواده توسط متغیرهای علائم جسمانی و علائم پیش بینی میشود

 

برای دریافت پروژه اینجا کلیک کنید

کلمات کلیدی :

مقاله طراحی، مدلسازی و ساخت بازویجوشکار صنعتی تحت word

 

برای دریافت پروژه اینجا کلیک کنید

مقاله طراحی، مدلسازی و ساخت بازویجوشکار صنعتی تحت word دارای 6 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله طراحی، مدلسازی و ساخت بازویجوشکار صنعتی تحت word کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.

این پروژه توسط مرکز مرکز پروژه های دانشجویی آماده و تنظیم شده است

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله طراحی، مدلسازی و ساخت بازویجوشکار صنعتی تحت word ،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد


بخشی از متن مقاله طراحی، مدلسازی و ساخت بازویجوشکار صنعتی تحت word :

سال انتشار: 1387

محل انتشار: شانزدهمین کنفرانس سالانه مهندسی مکانیک

تعداد صفحات: 6

نویسنده(ها):

علیرضا نعیمی فرد – دانشجوی دکترا – دانشگاه صنعتی خواجه نصیر طوسی،دانشکده مکانیک
ناصر ناصری فر – دانشجوی کارشناس ارشد – دانشگاه صنعتی خواجه نصیر طوسی،دانشکده مکانیک

چکیده:

در این پژوهش طراحی، مدلسازی و ساخت یک بازوی جوشکار صنعتی مورد بررسی قرار گرفته است . برای این منظور با جمع آوری اطلاعات جامع از منابع داخلی و خارجی نسبت به طراحی و ساخت یک بازوی روباتیک چهار درجه آزادی اقدام شد . بدلیل اهمیت فوق العاده تغییر شکل بازوها در دقت عمل جوشکاری، معیار طراحی بر مبنای حداقل خیز استوار گردیده است . لذا برای طراحی بهینه اجزاء و تعیین ضرایب اطمینان و محاسبهی Ansys تنش و خیز بازوها از روشهای المان محدود به کمک نرم افزار استفاده شده است . جهت طراحی بهینهی موتورها و تحلیل دینامیکی بازوی جوشکار از نرمافزارهای Matlab و Working model استفاده شده است . برای کنترل و استفاده آسان بازوی جوشکار در صنعت، یک رابط گرافیکی کنترلی، از تلفیق و هماهنگسازی محیطهای مختلف نرمافزارهای همچون Matlab‘s GUI و vNastran و Matlab‘s Simulink طراحی و ساخته شده است . این رابط گرافیکی – کنترلی توانایی رقابت بانمونه های خارجی مشابه را دارد

 

برای دریافت پروژه اینجا کلیک کنید

کلمات کلیدی :

مقاله مدل کردن رفتار سیلان فولادی آلیاژی AISI 4340 در فشار گرم ت

 

برای دریافت پروژه اینجا کلیک کنید

مقاله مدل کردن رفتار سیلان فولادی آلیاژی AISI 4340 در فشار گرم تحت word دارای 10 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله مدل کردن رفتار سیلان فولادی آلیاژی AISI 4340 در فشار گرم تحت word کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.

این پروژه توسط مرکز مرکز پروژه های دانشجویی آماده و تنظیم شده است

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله مدل کردن رفتار سیلان فولادی آلیاژی AISI 4340 در فشار گرم تحت word ،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد


بخشی از متن مقاله مدل کردن رفتار سیلان فولادی آلیاژی AISI 4340 در فشار گرم تحت word :

سال انتشار: 1385

محل انتشار: دومین همایش ملی عملیات حرارتی

تعداد صفحات: 10

نویسنده(ها):

روح اله روانی – باشگاه پژوهشگران جوان دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد
محمدرضا مسچیان – استادیار دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد
جواد رجبی – باشگاه پژوهشگران جوان دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد
علی کاوه – باشگاه پژوهشگران جوان دانشگاه آزاد اسلامی واحد ساوه

چکیده:

رفتار ترمومکانیکی فولاد آلیاژی AISI 4340 بکمک دیلاتومتری 805A/D بر اساس منحنی های سیلان حقیقی تحلیل گردیده است. در این رابطه بر اساس ترسیم شماتیک نرخ کارسختی بر حسب تنش و تعیین نقاط عطف نمودار نقطه بحرانی شروع تبلور مجدد دینامیکی متمایز گردید. بر اساس بررسی های ریزساختاری صحت وقوع تبلور مجدد دینامیکی در شرایطی که نمودار رفتار بازیابی دینامیکی را از خود نشان می داد مشخص گردید. با این ترتیب با استفاده از مدل ارایه شده تنش سیلان پس از نقطه پیک در مقادیر کرنش بیشتر پیش بینی و محدودیت کرنش تعمالی دستگاه رفع گردید. بر اساس نتایج کار تحقیقی اخیر اکثر قریب به اتفاق سیکلهای ترمومکانیکی اعمالی اگر چه در ظاهر رفتار بازیابی دینامیکی را به نمایش می گذارند بر طبق مدل ارائه شده در مقادیر کرنش بیشتر در نهایت به حالت تبلور مجدد دینامیکی منجر می گردند.

 

برای دریافت پروژه اینجا کلیک کنید

کلمات کلیدی :

تحقیق در مورد DRAM (گذشته ، امروز ، آینده) تحت word

 

برای دریافت پروژه اینجا کلیک کنید

تحقیق در مورد DRAM (گذشته ، امروز ، آینده) تحت word دارای 20 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد تحقیق در مورد DRAM (گذشته ، امروز ، آینده) تحت word کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.

این پروژه توسط مرکز مرکز پروژه های دانشجویی آماده و تنظیم شده است

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی تحقیق در مورد DRAM (گذشته ، امروز ، آینده) تحت word ،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد


بخشی از متن تحقیق در مورد DRAM (گذشته ، امروز ، آینده) تحت word :

DRAM (گذشته ، امروز ، آینده)

مقدمه :
همانطوریکه می دانیم امروزه بشر در عصر ارتباطات و تکنولوژی به حافظه برای تجهیزات مختلف نیازمند است . یکی از انواع حافظه ها DRAM یا Dynamic Random memory می باشد که این DRAM ها مصارف مختلفی دارند از جمله در Computing ، infrastueture ، Entertainment و infocom و جاهای دیگر صنعتی.

برای ساخت DRAM در تکنولوژیهای مختلفی استفاده شده است که ما در اینجا از ساده ترین DRAM ها شروع می کنیم که از یک ترانزیستور و خازن و AMP استفاده شده است و به ساختار DRAM های 1k و 4k و 16k و ; می پردازیم . و نهایتاً یکی از تکنولوژیهای جدیدی که در ساخت DRAM ها بکار رفته است را شرح می‌دهیم . این تکنولوژی های ساخت DRAM با استفاده از SO1 (Silicon on islatnr) می باشد .

بنابراین بطورکلی این روژه از 2 قسمت تشکیل شده است . قسمت اول آن مربوط به توضیح راجع به DRAM ها (از جهات مختلف) و مقایسه و کاربرد آنها و ; می باشد و قسمت دوم پروژه مربوط به توضیح راجع به تکنولوژی SO1 و کاربرد آن در DRAM می باشد .

شرح پروژه :
قسمت اول , ساختمان و خصوصیات DRAM :
DRAM در واقع مخفف Dynamic Random Access Memory است که حالت ساده آن به شکل زیر است که از یک ترانزیستور ساده و خازن و یک AMP تشکیل شده است .

DRAM ها دارای خصوصیاتی از جمله Read و Write هستند . اساس سلول DRAM از نظر Cross-Section و Layout در شکل زیر مشخص است و عیب این روش area می باشد . علاوه بر این ، 2 خصوصیت عمده از DRAM ها ذکر شده است که عبارتند از :
1-Stacked cell(Expand up) : طبق شکل

2-Trench cell(Expand Down) : طبق شکل
همانطوریکه گفته شد DRAM می تواند عمل Read و Write را انجام دهد .
برای عمل write باید bitline یا در حالت high باشد یا low و word line باید از موقعیت high باشد .

اما برای عمل Read bitline در وضعیت precharge است تا ولتاژ halfway شود (یعنی حالت high و Low) و باز هم Word Line در وضعیت high است .
در DRAM یک AMP حسی داریم که وضعیت charge را آشکار می کند و این Charge به خازن وابسته است .

توجه به این نکته ضروری است که DRAM ها به refresh نیاز دارند (برعکس SRAM ها) زیرا دارای جریان نشتی هستند . همچنین آدرسها در DRAM به 2 قسمت تقسیم می شود :

1-RAS (Row Access Strobe)
2-Cas (Column Access Strobe)

پارامترهای کلیدی Timing در یک DRAM :
1- : کمترین زمان از Ras Line تا یک دیتای خروجی معتبر و با ارزش که این زمان مثلاً برای یک 4Mb DRAM حدوداً 60ns است .
2- : کمترین زمان از شروع یک row Access تا شروع بعدی که این زمان برای یک 4Mbit DRAM با تقریباً است .
3- : کمترین زمان از CAS Line تا یک دیتای خروجی معتبر و با ارزش که این زمان برای DRAM 4Mb با حدود است .
4- : کمترین زمان از شروع یک Column Access تا شروع بعدی است . که این زمان هم برای یک 4Mbit DRAM با حدود است .

طراحی DRAM :
در شکل ها row address و Column address و RAS و CAS و data out
مشخص است کلاً Cycle time یا سرعت تکرار از زمان دسترسی یا access time بزرگتر است و این مقادیر حدود و هستند . این data در خازنهایی ذخیره می شوند که نشتی دارند و باید هر refresh شوند . اما مشکلی که DRAM دارد اینست که با افزایش تراکم و چگالی (density) پهنای باند افزایش نمی‌یابد .

Technology Trends
جدول زیر وضعیت DRAM ها از نظر Chip و سرعت و cycle Time که طی سالهای 1986-2002 مورد بررسی و مقایسه قرار گرفته اند را نشان می دهد .
قبل از اینکه در ادامه بحث به انواع DRAM ها بپردازیم 2 نوع از مهمترین آنها DDR DRAM SDRAM را توضیح می دهیم .
SDRAM : نوع بهبود یافته DRAM است که مخفف عبارت Synchronous DRAM می باشد .

در اینجا از کلاک استفاده شده است که کلاک بوسیله میکروپروسسور ها فراهم آمده است .و کلاک باعث می شود که طراحی راحتتر شود .
برای SDRAM از روشهای مختلفی می توان استفاده کرد که به 3 mode اشاره خواهیم کرد .

در این روش یک RAS و یک CAS داریم .
در این روش یک RAS و دو CAS داریم .
1Burst Mode
2.Page Mode Access
3.Pipline Mode Access

در آدرس تأخیر کمتر شده است و بصورت back to back به هم چسبیده اند . که این مد از همه بهتر و کاراتر است . ضمناً می توان مدهای Page و Pipline را با هم ترکیب نمود .

2-DDR DDRAM یا Double Date Rate DRAM :این نوع DRAM در واقع دیتا را هم در لبه ‌بالارونده و هم پایین رونده منتقل می کند . بصورت DRAM Regular است ومقدار حافظه 160MHz at 8byte=1.2 Gbyte/sec است .

و چون بصورت Double هستند پس حافظه کل برابر 24GByte/sec می باشد .

دیگر تکنولوژیهای حافظه :
Embeded DRAM : این نوع DRAM بیشترین کاربردش در میکروپروسسورهای MRAM که همان Megnatic RAM می باشد . این تکنولوژی Emerging هم نامیده می شود که دارای سرعت پایین خواندن است با توان مصرفی بالاتر . این در واقع یک حافظه ذخیره کننده غیرفرار است .

DRAM در بازار :
قبل از اینکه به میزان مصرف DRAM در Market اشاره داشته باشیم 3 نوع حافظه شامل DRAM و SRAMو NUM را از چند جهت با هم مقایسه می کنیم .
در حال حاضر بیش از 75% مصرف حافظه ها از DRAM می باشد که سود این در سال 1995 حدود 36 میلیارد دلار و در سال 1999 حدود 78 میلیارد دلار بوده است . صود حاصل از فروش انواع memory ها در سال 1995 بعنوان نمونه در زیر ذکر شده است :
میلیارد دلار 36: DRAM
میلیارد دلار 8/5: SRAM
میلیارد دلار 5/1: EPRAM

میلیارد دلار 7/0: EEPRAM
میلیارد دلار 4/2: ROM

معماری DRAM در PC ها
1-آسنکرون :

1-مد fast page
2-مد hyper page یا Extended Date out(EDO)
3-Piplinal Burst EDO (PBEDO)
2-سنکرون :

1-SDRAM
2-RAM BUS DRAM
در این نمودار میزان مصرف Memory ها در سال های مختلف با هم مقایسه شده است .

 

DRAM های خاص
1-SDRAM یا DRAM همزمان
2-Grahic RAM Synch
3-Video RAM
4-Window RAM
5-RAM BUS DRAM

دلایل استفاده از DRAM
1-قیمت مناسب
2-توان مصرفی پایین
3-سرعت بالا (پهنای باند بالا و تأخیر پایین( )
4-تکنولوژی عالی
مشخصات و بیوگرافی برخی DRAM ها (از 1K تا 256M )
DRAM Low Power
(توضیح و نمودار)

کاربردهای DRAM

بطور عام می توانیم کاربردهای DRAM را در 4 مقوله خلاصه کنیم :
1-Computing
2-infrastructure
3-infocom
4-Entertainment
هر کدام از موارد بالا شامل قسمتهایی می شوند که در جدول مشخص شده است .
ضمناً میزان مصرف هر کدام از 4 مورد بالا در سال 2003 تا 2009 در 2 جدول پیش‌بینی و مقایسه شده است و می بینیم که در طی این سالها از میزان مصرف DRAM در Computing کاسته خواهد شد . و در وقت infranstructure inform با افزایش مصرف DRAM در سال 2009 نسبت به 2003 مواجه خواهیم بود .

قسمت دوم
SOI DRAM
مقدمه :
در دهه گذشته پیشرفتهای زیادی در تکنولوژی ساخت DRAM حاصل شد که DRAM ها از نظر سایز بزرگتر شده اند بدون اینکه توان مصرفی افزایش یافته باشد و این توانسته DRAM ها را تواناتر سازد . برای این بهبودی مدفعی موجود است که feuture و ولتاژ آستانه اکسید گیت و منبع ولتاژ و توان DRAM در ارتباط است .
یکی از تکنولوژیهای خوب برای DRAM که برای آینده امیدبخش است SO2 DRAM است که نسبت به تکنولوژیهای bulkcons مزایای زیادی دارد . این تکنولوژی در سال 1998 تجاری شد .

 

تکنولوژی SOI در یک نگاه
SOI با نشاندن یک لایه نازک اکسید زیر سطح سیلیکن ساخته می شود . همانطوریکه در شکلها مشخص است وقتی ضخامت si از عمق زیر کانال معکوس کوچکتر باشد به FD SOI Mosfet معروف است (کاملاً تخلیه شده) و حالت دیگر آن PD SOI Mosfet است .
ساختن FD SOI مشکل تر از PDSOI است زیرا لایه SI در FDSOI باید زیر باشد در حالیکه تنها برای PD SOI حدود لایه از Si نیاز داریم .
تکنولوژی SOI CMOSامتیازاتی نسبت به bulk cmos دارد که به تعدادی از آن اشاره خواهیم کرد .

1-بدلیل اینکه SO2 پیوند سورس و درین موجود در بستر bulk cmos را حذف می‌کند ظرفیت کاهش می یابد .
2-بدلیل کاهش توان دینامیک ، بار خازنها Spont می شود .
3-بهبود latchuo باعث می شود تا ترانزیستور دوقطبی وجود نداشته باشد بطوریکه نیاز به ساختار اثر removing Helatchup را برطرف می کند و مجدداً غلظت را بهبود می بخشد .
4-ایزولاسیون الکتریکی باعث می شود از بدنه مشاهده نشود که این جریان راه اندازی را در device های پشته کاهش می دهد .
5-اثر Kink (پیچ و تاب) ، که این اثر برای POSO2 بی نظیر است . وقتی Vds افزایش می یابد میزان برخورد یونیزاسیون ترشولد افزایش می یابد ، دیود بایاس مستقیم می شود ، مثبت می شود ، افت کرده ، و جریان device افزایش می‌یابد .

فواید SOI برای DRAM
استفاده از SOI در طراحی DRAM فوایدی دارد که هم در Voltage و هم در Low Voltage Power بکار می آید . بعضی از این فواید شامل موارد زیر است :
1-S-factor کوچکتر شده است .
2-مساحت و ظرفیت خازن پیوندی کوچک شده است .
3-اثر بایاس بستر کوچک شده است .

 

برای دریافت پروژه اینجا کلیک کنید

کلمات کلیدی :
<   <<   186   187   188   189   190   >>   >